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MMBT3904LT1G库存信息

更新时间:2020-01-18 16:37:00
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MMBT3904LT1G中文资料

功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT3904LT1G PDF资料

型号: MMBT3904LT1G 前往资料站下载: 下载
原厂全称: ON Semiconductor 原厂简称: ON
页数: 6 文件大小: 98 /kb
说明: General Purpose Transistor (NPN Silicon)